Пн.-Сб. 10:00 - 20:00
Оперативная память

Оперативная память для ноутбука в Краснодаре

Поиск по названию:
Цена:
Состояние
Бренд
Объем модуля памяти
Частота памяти, MHz
Показать по:
Сортировать по:
Отображение:

Услуги

Типы оперативной памяти ноутбукаФорм-фактормодулей памяти для ноутбуков один для всех типов - SO-DIMM.

Тип памяти. При покупке дополнительного модуля, тип памяти нового обязательно должен совпадать с типом памяти уже установленного. При покупке комплекта целиком - чем выше тип (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) тем выше быстродействие памяти и ниже энергопотребление. Но опять же, обязательно следует убедиться (узнать из документации или описания на сайте производителя ноутбука), что выбранный тип памяти поддерживается ноутбуком.

Из этой цепочки немного выбивается DDR3L. Этот тип памяти полностью идентичен DDR3, но имеет пониженное на 10% энергопотребление. Для ноутбуков это довольно важно, так как чем ниже энергопотребление, тем выше продолжительность работы от аккумулятора. Поэтому, выбирая между DDR3 и DDR3L, лучше остановиться на последней (разумеется, при условии поддержки этого типа памяти ноутбуком).

Частота - еще один важный параметр ОЗУ, непосредственно влияющий на скорость работы с памятью. Чем выше частота, тем лучше, но, во-первых, частоты всех установленных модулей должны совпадать, во-вторых, частота должна поддерживаться ноутбуком.

Объем памяти. Требования программного обеспечения к объему памяти все время растут, поэтому рекомендации по необходимому объему памяти быстро устаревают. На сегодняшний день 2 Гб - минимум, достаточный для нормальной работы офисных приложений (Word, Excel) и выхода в Интернет. Для полноценного использования графических пакетов наподобие Photoshop или CorelDraw, просмотра видео в формате HD и нетребовательных игр будет достаточно 4 Гб памяти. Полноценный игровой ноутбук потребует уже от 8 Гб памяти, как и профессиональная рабочая станция для работы с видео или 3D-сценами.

Тайминги– задержки при доступе к памяти, считаются в тактах частоты. Основные тайминги:

- CAS latency (CL) - задержка между запросом к определенному блоку памяти и началом получения/передачи данных. Этот параметр наиболее характерный, для DDR3 его значение должно быть 9-11, в зависимости от частоты; для DDR4 - 15-16. Большие значения латентности нежелательны;

- RAS to CAS Delay (tRCD) -задержка между определением строки и столбца с нужными данными (память организована в табличном виде и для получения определенных данных нужно передать номера строки и столбца)

- RAS precharge (tRP) - завершающая задержка после операции работы с данными перед началом следующей операции.

В характеристиках памяти тайминги часто записываются в виде CL-tRCD-tRP. Например, 5-5-5. Чем меньше тайминг, тем память быстрее, но сравнивать по этому параметру следует только однотипные модули. С ростом частоты тайминги неизбежно растут, и тайминг в 15 для модуля с частотой в 2400 МГц по продолжительности задержки сравним с таймингом 5 для частоты 800 МГц (1 / 2400 * 15 = 1 / 800 * 5).

Размещение чипов. Чипы (микросхемы) памяти на модулях могут размещаться как с одной, так и с двух сторон. На характеристики памяти это не влияет, но обратить на это внимание надо: модули с двусторонней установкой чипов имеют большую толщину и могут просто не поместиться в свободный слот.